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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
李显尧
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袁韬努
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邵士茜
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施祖军
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俞育德
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余金中
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提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
黄添懋
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陈诺夫
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张兴旺
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白一鸣
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尹志岗
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施辉伟
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张汉
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汪宇
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王彦硕
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杨晓丽
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提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
朱从义
;
张耀辉
;
石寅
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
石小溪
;
赵国忠
;
张存林
;
崔利杰
;
曾一平
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王勇刚
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马骁宇
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王屹山
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赵卫
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曹士英
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张志刚
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王清月
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提交时间:2010/11/23
一种减小霍尔器件失调电压的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郑一阳
;
韩海
;
景士平
;
梁平
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浏览/下载:1186/126
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提交时间:2009/06/11
一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郑一阳
;
韩海
;
景士平
;
梁平
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提交时间:2009/06/11
高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郑一阳
;
韩海
;
景士平
;
梁平
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
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曾一平
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林兰英
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提交时间:2010/11/23
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提交时间:2010/11/23