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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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制造半导体双极器件的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐嘉东;  李建明;  张秀兰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  唐君;  陈弘达;  申荣铉;  裴为华;  贾九春;  周毅;  许兴胜
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋淑芳;  陈维德;  张春光;  卞留芳;  许振嘉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王守觉;  徐春燕;  潘晓霞;  安冬;  陈旭;  曹文明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋国峰;  甘巧强;  瞿欣;  方培源;  高建霞;  曹青;  徐军;  康香宁;  徐云;  钟源;  杨国华;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王守觉;  潘晓霞;  徐春燕;  陈旭;  安冬;  曹文明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐进章;  许怀哲;  徐徐;  徐大鹏
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