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低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  周媛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Yong;   Li, Xiao-Ming;   Hao, Rui-Ting;   Guo, Jie;   Zhuang, Yu;   Cui, Su-Ning;   Wei, Guo-Shuai;   Ma, Xiao-Le;   Wang, Guo-Wei;   Xu, Ying-Qiang;   Niu, Zhi-Chuan;   Wang, Yao
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, Dongfeng;   Mao, Shengcheng;   Teng, Jiao;   Wang, Xinliang;   Li, Xiaochen;   Ning, Jin;   Li, Zhipeng;   Zhang, Qing;   Tian, Zhiyong;   Wang, Menglong;   Zhang, Ze;   Han, Xiaodong
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hao, Yue;   Xiang, Shuiying;   Han, Genquan;   Zhang, Jincheng;   Ma, Xiaohua;   Zhu, Zhangming;   Guo, Xingxing;   Zhang, Yahui;   Han, Yanan;   Song, Ziwei;   Liu, Yan;   Yang, Ling;   Zhou, Hong;   Shi, Jiangyi;   Zhang, Wei;   Xu, Min;   Zhao, Weisheng;   Pan, Biao;   Huang, Yangqi;   Liu,
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ouyang, Chen;   Li, Shangqing;   Ma, Jinglong;   Zhang, Baolong;   Wu, Xiaojun;   Ren, Wenning;   Wang, Xuan;   Wang, Dan;   Ma, Zhenzhe;   Wang, Tianze;   Hong, Tianshu;   Yang, Peidi;   Cheng, Zhe;   Zhang, Yun;   Jin, Kuijuan;   Li, Yutong
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Ruijie;   Li, Menghan;   Li, Lin;   Wei, Zhongming;   Jiao, Fei;   Geng, Dechao;   Hu, Wenping
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