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Silicon thin films prepared in the transition region and their use in solar cells 会议论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, Bangkok, THAILAND, JAN 27-FEB 01, 2004
作者:  Zhang S;  Liao X;  Raniero L;  Fortunato E;  Xu Y;  Kong G;  Aguas H;  Ferreira I;  Martins R;  Zhang, S, New Univ Lisbon, Fac Sci & Technol, CENIMAT, Dept Mat Sci, P-2829516 Caparica, Portugal. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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Silicon  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang S (Zhang S.);  Liao X (Liao X.);  Raniero L (Raniero L.);  Fortunato E (Fortunato E.);  Xu Y (Xu Y.);  Kong G (Kong G.);  Aguas H (Aguas H.);  Ferreira I (Ferreira I.);  Martins R (Martins R.);  Zhang, S, New Univ Lisbon, Fac Sci & Technol, CENIMAT, Dept Mat Sci, P-2829516 Caparica, Portugal. E-mail: sz@uninova.pt
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang S;  Raniero L;  Fortunato E;  Liao X;  Hu Z;  Ferreira I;  Aguas H;  Ramos AR;  Alves E;  Martins R;  Zhang, S, Univ Nova Lisboa, Fac Ciencias & Tecnol, Dept Ciencia Mat, Campus Caparica, P-2829516 Caparica, Portugal. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JM;  Chong M;  Yang LQ;  Xu JD;  Duan XF;  Gao M;  Wang FL;  Liu HT;  Bian L;  Chi X;  Zhai YH;  Li, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jml@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen MB;  Cui RQ;  Zhang ZW;  Lu JF;  Wang LX;  Chi WY;  Xiang XB;  Liao XB;  Xiang XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sheng SR;  Liao XB;  Ma ZX;  Yue GZ;  Wang YQ;  Kong GL;  Liao XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiang XB;  Du WH;  Chang XL;  Yuan HR;  Xiang XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Wang WJ;  Yun F;  Xu Y;  Liao XB;  Ma ZX;  Yue GH;  Kong GL;  Zhao YW,Beijing Solar Energy Res Inst,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiang XB;  Du WH;  Chang XL;  Liao XB;  Xiang XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JM;  Li JM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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