中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Liu XF;  Li JP;  Huang DD;  Li LX;  Sun DZ;  Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(265Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1609/272  |  提交时间：2010/11/15
Stranski-krastanow Growth  Quantum Dots  Relaxation  Inas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Liu XF;  Li JP;  Huang DD;  Li LX;  Sun DZ;  Kong MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(265Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1023/320  |  提交时间：2010/08/12
New method for the growth of highly uniform quantum dots 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 43-4, LISBON, PORTUGAL, MAY 19-21, 1997
作者:  Pan D;  Zeng YP;  Kong MY;  Pan D Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dongpan@red.senu.ac.cn
Adobe PDF(274Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1220/178  |  提交时间：2010/11/15
Self-formed Quantum Dot  Stranski-krastanow Growth Mode  Superlattice  Molecular-beam Epitaxy  Ingaas  Gaas  Dislocations  Multilayers  Defects  Strain  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan D;  Zeng YP;  Kong MY;  Pan D,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: dongpan@red.senu.ac.cn
Adobe PDF(274Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：743/200  |  提交时间：2010/08/12