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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
硅衬底氮化镓材料制备生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  冯玉霞
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Si衬底  Aln  Gan  生长机制  应力