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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, JJ;  Zhao, LB;  Zhang, GY;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Jia, QJ;  Guo, LP;  Hu, TD;  Wu, JJ, Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P, Res Ctr Wide Gap Semicond, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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High-brightness GaN-based blue LEDs grown on a wet-patterned sapphire substrate - art. no. 68410T 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Zhang, Y;  Yan, FW;  Gao, HY;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Yang, FH;  Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan  Nitrides  Led  Mocvd  Patterned Sapphire Substrate  Wet Etching  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Zhang, SM;  Yang, H;  Jiang, DS;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen J;  Zhang SM;  Zhang BS;  Zhu JJ;  Feng G;  Duan LH;  Wang YT;  Yang H;  Zheng WC;  Chen J,Sichuan Univ,Dept Mat Sci,Chengdu 610064,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen J;  Zhang SM;  Zhang BS;  Zhu JJ;  Shen XM;  Feng G;  Liu JP;  Wang YT;  Yang H;  Zheng WC;  Chen J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo MC;  Li JM;  Wang QM;  Sun GS;  Wang L;  Li GR;  Zeng YP;  Lin LY;  Luo MC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu YA;  Liu XL;  Lu DC;  Yuan HR;  Hu GQ;  Wang XH;  Wang ZG;  Duan XF;  Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者:  Sun GS;  Luo MC;  Wang L;  Zhu SR;  Li JM;  Zeng YP;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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3c-sic  In-situ Doping  Low-pressure Cvd  Sapphire Substrate  Chemical-vapor-deposition  Competition Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS;  Luo MC;  Wang L;  Zhu SR;  Li JM;  Zeng YP;  Lin LY;  Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Feng ZH;  Wang YT;  Zheng WL;  Jia QJ;  Jiang XM;  Yang H;  Liang JW;  Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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