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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Wei TB
;
Yang JK
;
Hu Q
;
Duan RF
;
Huo ZQ
;
Wang JX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
;
Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. tbwei@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu BL (Zhu B. L.)
;
Zhao XZ (Zhao X. Z.)
;
Su FH (Su F. H.)
;
Li GH (Li G. H.)
;
Wu XG (Wu X. G.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Wu R (Wu R.)
;
Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Sch Met & Mat, Dept Met Mat Engn, Wuhan 430081, Peoples R China. E-mail Address: zhubailin97@hotmail.com
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浏览/下载:1832/842
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提交时间:2010/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei TB
;
Hu Q
;
Duan RF
;
Wei XC
;
Huo ZQ
;
Wang JX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
;
Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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浏览/下载:1591/426
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu, LJ
;
Chen, YH
;
Ye, XL
;
Jiao, YH
;
Shi, LW
;
Wang, ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@semi.ac.cn
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浏览/下载:921/285
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提交时间:2010/03/08
High-efficiency GaN-based blue LEDs grown on nano-patterned sapphire substrates for solid-state lighting - art. no. 684103
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gan
Mocvd
Led
Nano-pattern
Sem
Hrxrd
Pl
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kong LM (Kong Lingmin)
;
Cai JF (Cai Jiafa)
;
Wu ZY (Wu Zhengyun)
;
Gong Z (Gong Zheng)
;
Fang ZD (Fang Zhidan)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
;
Wu, ZY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail: konglm0592@yahoo.com
;
zhywu@xmu.edu.cn
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提交时间:2010/04/11
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1914/401
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提交时间:2010/03/29
Gainnas/gaas Quantum Wells
Optical Properties
Nonradiative Recombination Effect
Time-resolved Photoluminescence
Pl Decay Dynamics
Pl Thermal Quenching
Molecular-beam Epitaxy
Gaasn Alloys
Excitation
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Liao MY
;
Chen NF
;
Chai CL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Huang CJ
;
Zuo YH
;
Li C
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Huang CJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1580/297
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提交时间:2010/10/29
Ge/si Islands
Quantum Dot
Band Alignment
Pl
Si/si1-xgex Quantum-wells
Stranski-krastanov Growth
Ii Band Alignment
Ge Islands
Temperature-dependence
Photoluminescence
Layers
Luminescence
Organization
Mechanism
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Liao MY
;
Chen NF
;
Wang ZG
;
Chai CL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12