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The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wei, TB;  Duan, RF;  Wang, JX;  Li, JM;  Huo, ZQ;  Zeng, YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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Hvpe  Gan  Nitridation  Polarity  Etching  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao HY (Gao Haiyong);  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Dept, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hygao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Wang YT;  Yang H;  Zheng LX;  Li JB;  Duan LH;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Zheng LX;  Wang XJ;  Duan LH;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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