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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Liu JP;  Wang ZG;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qsc@semi.ac
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Photoluminescence and Raman scattering correlated study of boron-doped silicon nanowires 会议论文
Science and Technology of Nanomaterials - ICMAT 2003丛书标题: JOURNAL OF METASTABLE AND NANOCRYSTALLINE MATERIALS SERIES, Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Zeng, XB;  Liao, XB;  Dai, ST;  Wang, B;  Xu, YY;  Xiang, XB;  Hu, ZH;  Diao, HW;  Kong, GL;  Zeng, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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Chemical Vapor Deposition Processes  Nanomaterials  Semiconducting Silicon  Visible Photoluminescence  Porous Silicon  Amorphous-silicon  Si  Spectroscopy  Films  Nanostructures  Confinement  Growth  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang CH;  Chen YH;  Yu G;  Wang ZG;  Wang, CH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: afloatcloud@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen CY;  Chen WD;  Song SF;  Hsu CC;  Chen CY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He J;  Zhang YC;  Xu B;  Wang ZG;  He J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zeng XB;  Xu YY;  Zhang SB;  Hu ZH;  Diao HW;  Wang YQ;  Kong GL;  Liao XB;  Zeng XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng YC;  Zhao XW;  Fu GS;  Peng YC,Hebei Univ,Coll Elect & Informat Engn,Baoding 071002,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He J;  Xu B;  Wang ZG;  Qu SC;  Liu FQ;  Zhu TW;  Ye XL;  Zhao FA;  Meng XQ;  He J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liao MY;  Meng XM;  Zhou XT;  Hu JQ;  Wang ZG;  Liao MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Science,Beijing 100083,Peoples R China.
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Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Liu HY;  Xu B;  Ding D;  Chen YH;  Zhang JF;  Wu J;  Wang ZG;  Liu HY Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Low Dimensional Structures  Molecular Beam Epitaxy  Nanomaterials  Inas Islands  Gaas  Growth  Gaas(100)  Thickness  Density