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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZG;  Li JB;  Gao F;  Weber WJ;  Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China, Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, AL;  Wei, HY;  Liu, XL;  Song, HP;  Fan, HB;  Zhang, PF;  Zheng, GL;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Yang, AL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: alyang@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng BC;  Yu XM;  Liu HJ;  Wang ZG;  Cheng, BC, Nanchang Univ, Inst Adv Studying, Nanchang 330031, Peoples R China. 电子邮箱地址: bcheng@vip.sina.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xia JB (Xia J. B.);  Zhanga XW (Zhang X. W.);  Xia, JB, CCAST, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhxw99@semi.ac.cn
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Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Li JM;  Sun GS;  Zhu SR;  Wang L;  Luo MC;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Semiconducting Silicon Compounds  Low-temperature Growth  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JM;  Sun GS;  Zhu SR;  Wang L;  Luo MC;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(113Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：911/252  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XD;  Niu ZC;  Wang H;  Feng SL;  Wang XD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Li JP;  Liu XF;  Huang DD;  Sun DZ;  Liu JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: liujp@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Liu XF;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Liu JP CHINESE ACAD SCIINST SEMICONDCTR MAT SCIPOB 912BEIJING 100083PEOPLES R CHINA.
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