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中国科学院半导体研究所机构知识库
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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
刘炜
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浏览/下载:1239/61
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提交时间:2018/06/20
Ingan
量子阱
薄膜
极化效应
局域态
本底载流子浓度
InGaN/GaN多量子阱太阳能电池研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:
smliu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1291/42
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提交时间:2017/06/05
Ingan/gan
多量子阱
太阳能电池
光电转换效率
GaN基绿光激光器的MOCVD外延生长研究
学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
李增成
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浏览/下载:1351/137
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提交时间:2014/05/30
Gan基绿光激光器
Mocvd
Ingan量子点
可控生长
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
;
Deng, QW (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, daven@semi.ac.cn
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浏览/下载:1751/593
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提交时间:2012/01/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang XB
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Yang CB
;
Hou QF
;
Yin HB
;
Chen H
;
Wang ZG
;
Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. soffeezxb@163.com
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浏览/下载:2005/513
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi Y
;
Wang XL
;
Yang CB
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. ybi@semi.ac.cn
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浏览/下载:1262/270
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提交时间:2011/09/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi Y
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, ybi@semi.ac.cn
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浏览/下载:1320/370
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提交时间:2012/01/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo Y
;
Liu XL
;
Song HP
;
Yang AL
;
Xu XQ
;
Zheng GL
;
Wei HY
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Guo, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Tingshua E Rd 35,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.E-mail Address: guoyan@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/22
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo X (Guo Xi)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Guo, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guox@semi.ac.cn
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浏览/下载:1059/371
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提交时间:2010/11/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu XL (Hu Xiao-Long)
;
Zhang JY (Zhang Jiang-Yong)
;
Shang JZ (Shang Jing-Zhi)
;
Liu WJ (Liu Wen-Jie)
;
Zhang BP (Zhang Bao-Ping)
;
Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Lab Micronano Optoelect, Xiamen 361005, Peoples R China.
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浏览/下载:1017/256
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提交时间:2010/12/28