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回音壁模式微腔与半导体量子点耦合的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者:  岳鹏毅
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回音壁模式微腔  Inas/gaas 量子点  腔量子电动力学  Puecell 效应  
InAs/GaAs单量子点荧光效率的提高及波长的调谐 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  苏丹
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Inas/gaas单量子点  金纳米颗粒  荧光增强  单轴应力  流体静压  
流体静压原位调谐InAs/GaAs单量子点激子光学性质 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  武雪飞
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Inas/gaas单量子点  流体静压  单光子源  双激子束缚能  聚束效应  
Si基III-V族半导体异质兼容低维材料的分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  贺继方
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Si基iii-v族半导体  Inas/gaas量子点  半导体纳米线  自催化生长  分子束外延  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Zhang HY;  Zhou GY;  Li TF;  Liu JQ;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
Adobe PDF(1941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1621/395  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ning JQ (Ning J. Q.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Wei ZF (Wei Z. F.);  Ruan XZ (Ruan X. Z.);  Ji Y (Ji Yang);  Zheng HZ (Zheng H. Z.);  Liu HC (Liu H. C.);  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S (Liang S.);  Zhu HL (Zhu H. L.);  Kong DH (Kong D. H.);  Wang W (Wang W.);  Liang, S, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou GY;  Chen YH;  Zhou XL;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. yhchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang X;  Zhang XH;  Zhu YG;  Li T;  Han LF;  Shang XJ;  Ni HQ;  Niu ZC;  Zhang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xinhuiz@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li T;  Zhang XH;  Zhu YG;  Huang X;  Han LF;  Shang XJ;  Ni HQ;  Niu ZC;  Zhang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xinhuiz@semi.ac.cn
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