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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shen XM;  Wang YT;  Zheng XH;  Zhang BS;  Chen J;  Feng G;  Yang H;  Shen XM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Fu Y;  Qu B;  Wang YT;  Feng ZH;  Shen XM;  Zhao DG;  Zheng XH;  Duan LH;  Li BC;  Zhang SM;  Yang H;  Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: ypsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Trampert A;  Brandt O;  Yang H;  Yang B;  Ploog KH;  Trampert A,Paul Drude Inst Festkorperelekt,Hausvogteipl 5-7,D-10117 Berlin,Germany.
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Heteroepitaxy of cubic GaN: influence of interface structure 会议论文
MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1997, (157), OXFORD, ENGLAND, APR 07-10, 1997
作者:  Trampert A;  Brandt O;  Yang H;  Yang B;  Ploog KH;  Trampert A Paul Drude Inst Festkorperelekt Hausvogteipl 5-7 D-10117 Berlin Germany.
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Molecular-beam Epitaxy  Gan/gaas(001)  Growth