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无权访问的条目 学位论文
作者:  伍绍腾
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InGaN/GaN多量子阱太阳能电池研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  smliu@semi.ac.cn
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Ingan/gan  多量子阱  太阳能电池  光电转换效率  
无权访问的条目 学位论文
作者:  刘波亭
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GaN基激光器的研制及器件物理 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  李翔
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Gan基激光器  电子泄漏  局域态  微分特性  Gaas基激光器  
图形化硅衬底氮化物外延及半极性发光器件 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  张璐
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Si  Gan  湿法腐蚀  Mocvd  半极性面  多量子阱  正装结构led  
P型GaN材料生长及性能表征 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  liushuangtao
Adobe PDF(2557Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:904/65  |  提交时间:2017/06/02
Mocvd  P-gan  退火  Mg受主激活  
无权访问的条目 学位论文
作者:  黄宇亮
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宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘雅丽
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Algan/algan 量子阱  Gan/aln量子点  半导体金刚石  深紫外光致发光  激子-声子作用  激子局域化  
GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  何晓光
Adobe PDF(12727Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1195/90  |  提交时间:2016/06/02
Gan  Hemt  2deg  Mocvd  高阻  
AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
Adobe PDF(3734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1060/78  |  提交时间:2016/06/01
Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压