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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Sun Z (Sun Zheng)
;
Wang BR (Wang Bao-Rui)
;
Xu ZY (Xu Zhong-Ying)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: sz3288@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun Z
;
Xu ZY
;
Yang XD
;
Sun BQ
;
Ji Y
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zyxu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Gainnas/gaas Quantum Wells
Optical Properties
Nonradiative Recombination Effect
Time-resolved Photoluminescence
Pl Decay Dynamics
Pl Thermal Quenching
Molecular-beam Epitaxy
Gaasn Alloys
Excitation
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Luo XD
;
Tan PH
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Tan PH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Luo XD
;
Xu ZY
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Ge WK
;
Luo XD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiang DS
;
Sun BQ
;
Tan PH
;
Li LH
;
Pan Z
;
Jiang DS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Luo XD
;
Xu ZY
;
Sun BQ
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Ge WK
;
Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ganas
Photoluminescence
Band Offset
Band Bowing Coefficient
Localized Exciton
Molecular-beam Epitaxy
Alloys
Temperature
Gaasn
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Zhou ZQ
;
Zhang W
;
Wang YT
;
Wu RH
;
Pan Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Zhou ZQ
;
Wu RH
;
Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1007/294
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Pan Z
;
Wang YT
;
Li LH
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Zhou ZQ
;
Wu RH
;
Pan Z,Chinese Acad Sci,State Key Lab Integrated Optoelect,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12