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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu XL (Hu Xiao-Long);  Zhang JY (Zhang Jiang-Yong);  Shang JZ (Shang Jing-Zhi);  Liu WJ (Liu Wen-Jie);  Zhang BP (Zhang Bao-Ping);  Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Lab Micronano Optoelect, Xiamen 361005, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei QX;  Ren ZW;  He ZH;  Niu ZC;  Wei QX Shanxi Univ Dept Phys Taiyuan 030006 Peoples R China. E-mail Address: qx.wei@163.com
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Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy 会议论文
PROCEEDINGS OF THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND RELATED SMALL ENERGY PHENOMENA, PHYSICS AND APPLICATIONS, 2, KANAZAWA, JAPAN, MAY 27-31, 2001
作者:  Niu ZC;  Wang XD;  Miao ZH;  Lan Q;  Kong YC;  Zhou DY;  Feng SL;  Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  Ingaas Islands  Photolumineseence  Line-width  1.3 Mu-m  Inas/gaas Quantum Dots  Optical-properties  Cap Layer  Gaas  Luminescence  Strain  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XD;  Niu ZC;  Feng SL;  Miao ZH;  Niu ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XD;  Liu HY;  Niu ZC;  Feng SL;  Wang XD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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