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Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:  Li GH;  Fang ZL;  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Han HX;  Sou IK;  Ge WK;  Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Optical-absorption  Zns-te  Transition  Edge  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li GH;  Fang ZL;  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Han HX;  Sou IK;  Ge WK;  Li GH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang ZL;  Li GH;  Liu NZ;  Zhu ZM;  Han HX;  Ding K;  Ge WK;  Sou IK;  Fang ZL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sheng SR;  Liao XB;  Ma ZX;  Yue GZ;  Wang YQ;  Kong GL;  Liao XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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Pressure behavior of deep centers in ZnSxTe1-x alloys 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 211 (1), THESSALONIKI, GREECE, AUG 09-13, 1998
作者:  Liu NZ;  Li GH;  Zhang W;  Zhu ZM;  Han HX;  Wang ZP;  Ge WK;  Sou IK;  Liu NZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Absorption-edge  Strains  Zns  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu NZ;  Li GH;  Zhang W;  Zhu ZM;  Han HX;  Wang ZP;  Ge WK;  Sou IK;  Liu NZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  ZHANG YH;  JIANG DS;  LI F;  ZHOU JM;  MEI XB;  ZHANG YH CHINESE ACAD SCIINST SEMICONDNATL LAB SUPERLATTICES & MICROSTRUCTBEIJING 100083PEOPLES R CHINA
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  JIANG S;  SHEN SC;  LI GH;  JIANG S CCASTWORLD LABPOB 8730BEIJING 100080PEOPLES R CHINA
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