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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
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第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线  
锗锡和锗铅合金材料能带调控的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  黄文奇
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四族合金半导体  能带调控  第一性原理  
半导体纳米材料掺杂和应力调控的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  陈卉
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纳米半导体材料  本征缺陷  掺杂原子  电子性质  磁性  应变  第一性原理计算  
半导体掺杂及其电学和磁学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  王治
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p 型掺杂  稀磁半导体  非磁性元素掺杂  氧化石墨烯  第一性原理  
氧化锌和金刚石基稀磁半导体材料的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  高慧霞
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稀磁半导体  第一性原理  电子结构  铁磁性  能带耦合模型