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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lagarde, D;  Bouet, L;  Marie, X;  Zhu, CR;  Liu, BL;  Amand, T;  Tan, PH;  Urbaszek, B
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sallen G (Sallen, G.);  Bouet L (Bouet, L.);  Marie X (Marie, X.);  Wang G (Wang, G.);  Zhu CR (Zhu, C. R.);  Han WP (Han, W. P.);  Lu Y (Lu, Y.);  Tan PH (Tan, P. H.);  Amand T (Amand, T.);  Liu BL (Liu, B. L.);  Urbaszek B (Urbaszek, B.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu BL;  Zhu SJ;  Zhao XZ;  Su FH;  Li GH;  Wu XG;  Wu J;  Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Minist Educ, Key Lab Ferrous Met & Resources Utilizat, Wuhan 430081, Peoples R China. zhubailin97@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu BL (Zhu B. L.);  Zhao XZ (Zhao X. Z.);  Su FH (Su F. H.);  Li GH (Li G. H.);  Wu XG (Wu X. G.);  Wu J (Wu J.);  Wu R (Wu R.);  Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Sch Met & Mat, Dept Met Mat Engn, Wuhan 430081, Peoples R China. E-mail Address: zhubailin97@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, BL;  Zhao, XZ;  Xu, S;  Su, FH;  Li, GH;  Wu, XG;  Wu, J;  Wu, R;  Liu, J;  Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Key Lab Hubei Province Ceram, Wuhan 430081, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhubailin97@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BL;  Cai FF;  Sun GS;  Fan HB;  Zhang PF;  Wei HY;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zhang, BL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangbaoli@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, BL;  Sun, XH;  Zha, XZ;  Su, FH;  Li, GH;  Wu, XG;  Wu, J;  Wu, R;  Liu, J;  Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Key Lab Hubei Prov Ceram & Refractories, Nanomat Ctr, Wuhan 430081, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhubailin97@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BL;  Sun GS;  Guo Y;  Zhang PF;  Zhang RQ;  Fan HB;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zhang BL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: zhangbaoli@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu BL;  Zhao XZ;  Su FH;  Li GH;  Wu XG;  Wu J;  Wu R;  Liu J;  Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Key Lab Hubei Prov Ceram & Refractories, Wuhan 430081, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhubailin97@hotmail.com
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利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  冯向旭;  张宁;  刘乃鑫;  付丙磊;  朱绍歆;  张连;  魏同波;  王军喜;  李晋闽
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