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| Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 会议论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010 作者: 阎Zhou HY (Zhou Huiying); Qu SC (Qu Shengchun); Jin P (Jin Peng); Xu B (Xu Bo); Ye XL (Ye Xiaoling); Liu JP (Liu Junpeng); Wang ZG (Wang Zhanguo) Adobe PDF(584Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2688/490  |  提交时间:2011/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhou HY (Zhou Huiying); Qu SC (Qu Shengchun); Liao SZ (Liao Shuzhi); Zhang FS (Zhang Fasheng); Liu JP (Liu Junpeng); Wang ZG (Wang Zhanguo) Adobe PDF(224Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1279/266  |  提交时间:2010/08/17 |
| 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 任芸芸; 徐波; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国 Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1613/234  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国 Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1758/236  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国 Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1618/216  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1359/198  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 徐波; 张春林; 王占国 Adobe PDF(557Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1340/183  |  提交时间:2009/06/11 |
| GaAs基图形衬底上GaAs 和InAs 纳米结构的控位生长 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007 作者: 周慧英 Adobe PDF(2193Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:992/19  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Cheng BC (Cheng Baochang); Qu SC (Qu Shengchun); Zhou HY (Zhou Huiying); Wang ZG (Wang Zhanguo); Cheng, BC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: bcheng@vip.sina.com Adobe PDF(599Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1405/351  |  提交时间:2010/04/11 |