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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wen, JJ;  Zhang, DL;  Liu, Z;  Zhou, TW;  Xue, CL;  Zuo, YH;  Li, CB;  Wang, QM;  Cheng, BW
Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:629/185  |  提交时间:2015/05/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, GQ;  Su, SJ;  Zhou, Q;  Guo, PF;  Yang, Y;  Zhan, CL;  Wang, LX;  Wang, W;  Wang, QM;  Xue, CL;  Cheng, BW;  Yeo, YC
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L;  Zuo YH;  Zhou CL;  Li HL;  Diao HW;  Wang WJ;  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Elect Engn, Key Lab Solar Thermal Energy & Photovolta Syst, Beijing 100190, Peoples R China. zhaolei@mail.iee.ac.cn
Adobe PDF(879Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1764/610  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  屈盛;  张兴旺;  毛和璜;  余银祥;  韩增华;  汤叶华;  周春兰;  王文静
Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1067/331  |  提交时间:2012/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JT;  Shen HJ;  Jia R;  Liu HM;  Tang YD;  Yang CY;  Xue CL;  Liu XY;  Liu, HMLiu, XY (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Key Lab Microelect Devices & Integrated Technol, Beijing 100029, Peoples R China. xyliu@ime.ac.cn
Adobe PDF(843Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:894/90  |  提交时间:2011/09/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L;  Diao HW;  Zeng XB;  Zhou CL;  Li HL;  Wang WJ;  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Elect Engn, Solar Cell Technol Grp, Key Lab Solar Thermal Energy & Photovolta Syst, Beijing 100190, Peoples R China. E-mail Address: zhaolei@mail.iee.ac.cn
Adobe PDF(261Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:3548/720  |  提交时间:2010/04/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L;  Zuo YH;  Zhou CL;  Li HL;  Diao HW;  Wang WJ;  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Solar Cell Technol Grp, Key Lab Solar Thermal Energy & Photovolta Syst, Inst Elect Engn, 6 Beiertiao Zhongguancun, Beijing 100190, Peoples R China. E-mail Address: zhaolei@mail.iee.ac.cn
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利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  徐波;  张春林;  王占国 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Q;  Zhang JC;  Huang Y;  Chen J;  Wang JF;  Wang H;  Li DY;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Zhou CL;  Guo LP;  Jia QJ;  Sun, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qsun@red.semi.ac.cn
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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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