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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [2]
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Influence of fluorine on radiation-induced charge trapping in the SIMOX buried oxides
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Zhang, GQ
;
Liu, ZL
;
Li, N
;
Zhen, ZS
;
Liu, GH
;
Lin, Q
;
Zhang, ZX
;
Lin, CL
;
Zhang, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Fluorine
Simox
Charge Trapping
Radiation
Sio2
无权访问的条目
期刊论文
作者:
贺洪波
;
范正修
;
姚振钰
;
汤兆胜
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提交时间:2010/11/23