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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, ZY;  Hogg, RA;  Xu, B;  Jin, P;  Wang, ZG;  Zhang, ZY, Univ Sheffield, Dept Elect & Elect Engn, Sir Frederick Mappin Bldg,Mappin St, Sheffield S1 3JD, S Yorkshire, England. 电子邮箱地址: ziyang.zhang@shef.ac.uk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, ZY;  Hogg, RA;  Jin, P;  Choi, TL;  Xu, B;  Wang, ZG;  Zhang, ZY, Univ Sheffield, Dept Elect & Elect Engn, Sheffield S1 3JD, S Yorkshire, England. 电子邮箱地址: ziyang.zhang@shef.ac.uk
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制造半导体双极器件的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐嘉东;  李建明;  张秀兰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang H;  Zheng HZ;  Zhang JD;  Tan PH;  Yang FH;  Zeng YP;  Zhang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An L;  Tang Y;  Zhang JD;  Ji Y;  Tan PH;  Yang FH;  Zhaeng HZ;  An L,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JD;  Chen JH;  Deng YM;  An L;  Zhang H;  Yang FH;  Li GH;  Zheng HZ;  Zhang JD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu CY;  Zheng HZ;  Zhang JD;  Zhang H;  Yang FH;  Zeng YP;  Hu CY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  安龙;  唐艳;  章继东;  姬扬;  谭平恒;  杨富华;  郑厚植
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  章继东;  陈京好;  邓元明;  安龙;  章昊;  杨富华;  李国华;  郑厚植
Adobe PDF(221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:798/204  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  An L;  Tang Y;  Zheng HZ;  Zhang JD;  Tan PH;  Yang FH;  Ji Y;  Chen YZ;  Zheng HZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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