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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu J;  Xu PF;  Zhu YG;  Meng HJ;  Chen L;  Wang WZ;  Zhang XH;  Zhao JH;  Pan GQ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(252Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1083/359  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Li GH;  Ma HZ;  Zhang EX;  Zhang ZX;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang GQ;  Qi G;  Erkin;  Wu L;  Ren DY;  Zhang, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanggq@red.semi.ac.cn
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Effect of the implantation of fluorine on the mobility of channel electron for partially depleted SOI nMOSFET 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Zheng, ZS;  Liu, ZL;  Zhang, GQ;  Li, N;  Fan, K;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Li, N;  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Fan, K;  Zheng, ZS;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(144Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1805/231  |  提交时间：2010/03/29
Simox  Fluorine  Ionizing Radiation  
Influence of fluorine on radiation-induced charge trapping in the SIMOX buried oxides 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Li, N;  Zhen, ZS;  Liu, GH;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Zhang, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Fluorine  Simox  Charge Trapping  Radiation  Sio2