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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
文献类型
会议论文 [4]
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [1]
2005 [1]
2000 [2]
1998 [3]
语种
英语 [7]
出处
INTEGRATED... [3]
IEE PROCEE... [1]
JOURNAL OF... [1]
MATERIALS ... [1]
OPTICAL AN... [1]
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SCI [3]
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao C (Zhao C.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Zhao M (Zhao Man)
;
Zhang CL (Zhang C. L.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Yu LK (Yu L. K.)
;
Sun J (Sun J.)
;
Lei W (Lei W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: czhao@semi.ac.cn
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浏览/下载:929/292
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang Z
;
Fan Z
;
Xia J
;
Chen S
;
Yu J
;
Wang, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: raul_wzt@163.com
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浏览/下载:1058/287
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提交时间:2010/03/17
In situ annealing during the growth of relaxed SiGe
会议论文
OPTICAL AND INFRARED THIN FILMS, 4094, SAN DIEGO, CA, 36739
作者:
Li DZ
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Wang HJ
;
Yu Z
;
Zhang CH
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li DZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1379/204
  |  
提交时间:2010/10/29
Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition
Sige
Refractive High Energy Electron Diffraction
Tansmission Electron Microscopy
Double Crystal X-ray Diffraction
Mobility 2-dimensional Electron
Critical Thickness
Strained Layers
Ge
Relaxation
Epilayers
Si1-xgex
Gesi/si
Gases
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li DZ
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Wang HJ
;
Yu Z
;
Zhang CH
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li DZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:949/297
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提交时间:2010/08/12
A study on GaP/Si heterostructures grown by GS-MBE
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yu JZ
;
Chen BW
;
Yu Z
;
Wang QM
;
Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1204/241
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提交时间:2010/10/29
Gap/si Heterostructure
Gs-mbe
Lattice Match
X-ray Double Crystal Diffraction
Photoluminescence (Pl)
The SPER and characteristics of Si1-yCy alloys
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yu Z
;
Yu JZ
;
Cheng BW
;
Lei ZL
;
Li DZ
;
Wang QM
;
Liang JW
;
Yu Z Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1419/206
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提交时间:2010/10/29
Si1-ycy Alloys
Ion implantatIon
Solid Phase Epitaxy Recrystallization
Preparation and photoluminescence of nc-Si/SiO2 MQW
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Yu Z
;
Lei ZL
;
Li DZ
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1470/350
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提交时间:2010/10/29