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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XR;  Xu B;  Wang HF;  Zhao GQ;  Shi SH;  Shen XZ;  Li JF;  Wang ZG;  Yang, XR, Handan Coll, Dept Phys & Elect Engn, Handan 056005, Peoples R China. yangxr1976@126.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang XH (Huang, Xiaohui);  Wang H (Wang, Huaibing);  Yin S (Yin, Song);  Chen XR (Chen, Xiaorong);  Chen W (Chen, Wei);  Yang H (Yang, Hui);  Wang, H, CAS, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbwang2006@sinano.ac.cn
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InP 基InAs 纳米结构形貌控制及激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  杨新荣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XR (Yang X. R.);  Xu B (Xu B.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jin P (Jin P.);  Liang P (Liang P.);  Hu Y (Hu Y.);  Sun H (Sun H.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Liu FL (Liu F. L.);  Yang, XR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yangxr@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  孙文荣;  段满龙;  董志远;  杨子祥;  吕旭如;  王应利
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  孙文荣;  段满龙;  杨子祥;  吕旭如
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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  段满龙;  孙文荣;  杨子祥;  焦景华;  赵建群;  曹慧梅;  吕旭如
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磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  杨君玲;  何宏家;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Xiu HX;  Yang JL;  Wu JL;  Zhong XR;  Lin LY;  Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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