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| 宽带偏振复用相干薄膜铌酸锂集成调制器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2024
作者: 杨一诺
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jiang, Jin-Wu; Yang, Nuo; Wang, Bing-Shen; Rabczuk, Timon
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄添懋 ; 陈诺夫; 张兴旺; 白一鸣; 尹志岗; 施辉伟; 张汉; 汪宇; 王彦硕; 杨晓丽
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| 磁控溅射仪衬底固定夹具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王鹏; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏
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| 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 柴春林
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| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏
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| 在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨霏; 陈诺夫
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| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林
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