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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng YC (Peng Ying-Cai);  Fan ZD (Fan Zhi-Dong);  Bai ZH (Bai Zhen-Hua);  Zhao XW (Zhao Xin-Wei);  Lou JZ (Lou Jian-Zhong);  Cheng X (Cheng Xu);  Peng, YC, Hebei Univ, Coll Elect & Informat Engn, Baoding 071002, Peoples R China.电子邮箱地址: ycpeng2002@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiao X (Xiao Xi);  Zhu Y (Zhu Yu);  Xu HH (Xu Hai-Hua);  Zhou LA (Zhou Liang);  Hu YT (Hu Ying-Tao);  Li ZY (Li Zhi-Yong);  Li YT (Li Yun-Tao);  Yu YD (Yu Yu-De);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Xiao, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: yudeyu@semi.ac.cn;  jzyu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王宝瑞;  孙征;  徐仲英;  孙宝权;  姬扬;  Z. M. Wang;  G. J. Salamo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王宝瑞;  孙征;  徐仲英;  孙宝权;  姬扬;  Z.M.Wang;  G.J.Salamo
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探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谭平恒;  徐仲英;  罗向东;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Z (Sun Zheng);  Xu ZY (Xu Zhong-Ying);  Ruan XZ (Ruan Xue-Zhong);  Ji Y (Ji Yang);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙征;  徐仲英;  阮学忠;  姬扬;  孙宝权;  倪海桥
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Z (Sun Zheng);  Wang BR (Wang Bao-Rui);  Xu ZY (Xu Zhong-Ying);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Ji Y (Ji Yang);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: sz3288@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗向东;  徐仲英;  谭平恒;  GE Wei-Kun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗向东;  孙炳华;  徐仲英
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