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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wenjun Huang;  Wenquan Ma;  Jianliang Huang;  Yanhua Zhang;  Yulian Cao;  Chengcheng Zhao;  Xiaolu Guo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiaolu Guo, Wenquan Ma, Jianliang Huang, Yanhua Zhang, Yang Wei, Kai Cui, Yulian Cao and Qiong Li
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分子束外延生长的 InAs/GaSb 二类超晶格材料的电学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  郭晓璐
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo, Xiaolu;  Ma, Wenquan;  Huang, Jianliang;  Zhang, Yanhua;  Wei, Yang;  Cui, Kai;  Cao, Yulian;  Li, Qiong
Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1001/201  |  提交时间：2013/10/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui, Kai;  Ma, Wenquan;  Zhang, Yanhua;  Huang, Jianliang;  Wei, Yang;  Cao, Yulian;  Guo, Xiaolu;  Li, Qiong
Adobe PDF(502Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：989/208  |  提交时间：2013/08/27
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Yanhua;  Ma, Wenquan;  Wei, Yang;  Cao, Yulian;  Huang, Jianliang;  Cui, Kai;  Guo, Xiaolu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang JL (Huang, Jianliang);  Ma WQ (Ma, Wenquan);  Wei Y (Wei, Yang);  Zhang YH (Zhang, Yanhua);  Cui K (Cui, Kai);  Cao YL (Cao, Yulian);  Guo XL (Guo, Xiaolu);  Shao J (Shao, Jun)
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一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人:  郭晓璐;  马文全;  张艳华
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