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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang K
;
Li XQ
;
Li XX
;
Pei WH
;
Chen HD
;
Dong JQ
;
Li, XX (reprint author), Peking Univ, Peoples Hosp, Dept Ophthalmol, 11 Xi Zhi Men Nan St, Beijing 100044, Peoples R China, drxiaoxinli@gmail.com
Adobe PDF(2089Kb)
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浏览/下载:726/136
  |  
提交时间:2012/02/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qin H
;
Wang HR
;
Li WJ
;
Jin XX
;
Li, WJ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China, qinh@semi.ac.cn
;
wjli@semi.ac.cn
Adobe PDF(517Kb)
  |  
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浏览/下载:996/238
  |  
提交时间:2012/01/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang X
;
Pei WH
;
Huang BJ
;
Wang SJ
;
Guan N
;
Guo K
;
Wang Y
;
Gui Q
;
Chen J
;
Wang K
;
Wu HJ
;
Li XX
;
Li K
;
Chen HD
;
Zhang, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. zhangxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(784Kb)
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浏览/下载:1529/559
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提交时间:2011/07/05
硅基稀土掺杂电致发光器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
王晓欣
;
成步文
;
余金中
;
王启明
Adobe PDF(493Kb)
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浏览/下载:1273/174
  |  
提交时间:2009/06/11
制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
王晓欣
;
丁武昌
;
成步文
;
余金中
;
王启明
Adobe PDF(941Kb)
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浏览/下载:1345/189
  |  
提交时间:2009/06/11
硅基稀土掺杂发光材料掺杂方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
王晓欣
;
成步文
;
余金中
;
王启明
Adobe PDF(456Kb)
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浏览/下载:1343/184
  |  
提交时间:2009/06/11
声子调控间接带隙半导体材料横向电注入发光器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
王晓欣
;
成步文
;
余金中
;
王启明
Adobe PDF(953Kb)
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浏览/下载:1451/179
  |  
提交时间:2009/06/11
稀土复合离子注入发光材料制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
王晓欣
;
成步文
;
余金中
;
王启明
Adobe PDF(395Kb)
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浏览/下载:1440/204
  |  
提交时间:2009/06/11
硅基高效等电子掺杂发光器件及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
王晓欣
;
成步文
;
余金中
;
王启明
Adobe PDF(946Kb)
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浏览/下载:1238/146
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu, XQ
;
Liu, XL
;
Han, XX
;
Yuan, HR
;
Wang, J
;
Guo, Y
;
Song, HP
;
Zheng, GL
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Xu, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn
;
qszhu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08