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Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Peng CS;  Chen H;  Zhao ZY;  Li JH;  Dai DY;  Huang Q;  Zhou JM;  Zhang YH;  Tung CH;  Sheng TT;  Wang J;  Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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Threading Dislocation  Si(100)  Layers  Films  
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作者:  Peng CS;  Chen H;  Zhao ZY;  Li JH;  Dai DY;  Huang Q;  Zhou JM;  Zhang YH;  Tung CH;  Sheng TT;  Wang J;  Peng CS,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CS;  Huang Q;  Cheng WQ;  Zhou JM;  Zhang YH;  Sheng TT;  Tung CH;  Peng CS,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 60336,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CS;  Huang Q;  Cheng WQ;  Zhou JM;  Zhang YH;  Sheng TT;  Tung CH;  Peng CS,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603 36,Beijing 100080,Peoples R China.
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