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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, HL;  Zhang, W;  Sun, LJ;  Ma, SD;  Shi, Y;  Qu, HW;  Zhang, YJ;  Zheng, WH
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一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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低温晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:  彭红玲;  陈良惠;  郑婉华;  石 岩;  渠红伟;  杨国华;  何国荣
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一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li JB (Li Jingbo);  Li SS (Li Shu-Shen);  Peng HW (Peng Haowei);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Wang LW (Wang Lin-Wang);  Wei SH (Wei Su-Huai);  Deng, HX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Meng XQ;  Peng HW;  Gai YQ;  Li;  J;  Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YJ (Zhang Yejin);  Zheng WH (Zheng Wanhua);  Aiyi Q (Aiyi Qi);  Qu HW (Qu Hongwei);  Peng HL (Peng Hongling);  Xie SZ (Xie Shizhong);  Chen LH (Chen Lianghui);  Zhang, YJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. yjzhang@semi.ac.cn;  whzheng@semi.ac.cn;  qiaiyi@semi.ac.cn;  quhw@semi.ac.cn;  hlpeng@semi.ac.cn;  xsz-dee@tsinghua.edu.cn;  chenlh@semi.ac.cn
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TiO2纳米材料的电子结构和半导体材料的铁磁性 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  彭浩为
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng HW;  Li JB;  Li SS;  Xia JB;  Peng HW Chinese Acad Sci State Key Lab Superlattices & Microstruct Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng HW;  Xiang HJ;  Wei SH;  Li SS;  Xia JB;  Li JB;  Peng HW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: Suhuai_Wei@nrel.gov;  jbli@semi.ac.cn
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