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中国科学院半导体研究所机构知识库
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng WB
;
Liu SY
;
Xiao HB
;
Zhang CS
;
Shi MJ
;
Zeng XB
;
Xu YY
;
Kong GL
;
Yu YD
;
Zeng XB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xbzeng@semi.ac.cn
;
yyxu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
Zinc phthalocyanine (ZnPc) incorporated into silicon matrix grown by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
会议论文
PROCEEDINGS OF ISES SOLAR WORLD CONGRESS 2007, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 18-21, 2007
作者:
Zhang, CS
;
Wang, ZG
;
Shi, MJ
;
Peng, WB
;
Diao, HW
;
Liao, XB
;
Long, GL
;
Zeng, XB
;
Zhang, CS, CAS, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Photovoltaic Applications
Cells
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘文楷
;
林世鸣
;
武术
;
程澎
;
张存善
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提交时间:2010/11/23
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
;
Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Threading Dislocation
Si(100)
Layers
Films
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
;
Peng CS,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng CS
;
Huang Q
;
Cheng WQ
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Sheng TT
;
Tung CH
;
Peng CS,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 60336,Beijing 100080,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng CS
;
Huang Q
;
Cheng WQ
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Sheng TT
;
Tung CH
;
Peng CS,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603 36,Beijing 100080,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12