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中国科学院半导体研究所机构知识库
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Wang, ZG
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提交时间:2013/03/17
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期刊论文
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Zhu, JJ
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Yang, H
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提交时间:2013/02/27
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期刊论文
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Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
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Yang H (Yang Hui)
;
Zhu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jjzhu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/22
与GaN晶格匹配的AlInN材料的MOCVD生长及其性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:
卢国军
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提交时间:2009/04/13
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期刊论文
作者:
Majid A
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Zhang SM
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Jiang DS
;
Yang H
;
Ali, A, Quaid I Azam Univ, Dept Phys, Adv Mat Phys Lab, Islamabad, Pakistan. 电子邮箱地址: akbar@qau.edu.pk
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Majid A
;
Ali A
;
Zhu JJ
;
Liu W
;
Lu GJ
;
Zhang LQ
;
Liu ZS
;
Wang H
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Wang YT
;
Yang H
;
Israr M
;
Majid, A, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: abdulmajid40@yahoo.com
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提交时间:2010/03/08
一种生长AlInN单晶外延膜的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
卢国军
;
朱建军
;
赵德刚
;
刘宗顺
;
张书明
;
杨辉
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提交时间:2011/08/30