×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [95]
作者
韩培德 [27]
黎大兵 [4]
韩修训 [1]
徐萍 [1]
文献类型
期刊论文 [67]
专利 [11]
会议论文 [11]
发表日期
2006 [2]
2005 [2]
2004 [6]
2003 [8]
2002 [12]
2001 [8]
更多...
语种
中文 [46]
英语 [43]
出处
半导体学报 [22]
JOURNAL O... [18]
高技术通讯 [5]
BLUE LASER... [3]
发光学报 [3]
APPLIED PH... [2]
更多...
资助项目
收录类别
CSCD [39]
SCI [28]
CPCI-S [11]
资助机构
国家863计划 [10]
国家自然科学基金 [7]
国家863计划,国家... [4]
Japan Soc ... [3]
Japan Soc ... [2]
Japan Soc ... [2]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共95条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
聚光太阳电池的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
白一鸣
;
王晓晖
;
梁平
;
陆大成
Adobe PDF(354Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1546/201
  |  
提交时间:2009/06/11
集成太阳电池的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
白一鸣
;
王晓晖
;
陆大成
Adobe PDF(245Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1218/187
  |  
提交时间:2009/06/11
在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陆沅
;
刘祥林
;
陆大成
;
王晓晖
;
王占国
Adobe PDF(461Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1556/212
  |  
提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen, Z
;
Chua, SJ
;
Han, PD
;
Liu, XL
;
Lu, DC
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Tripathy, S
;
Tripathy, S, Inst Mat Res & Engn, 3 Res Link, Singapore 117602, Singapore. 电子邮箱地址: tripathy-sudhiranjan@imre.a-star.edu.sg
Adobe PDF(271Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:910/266
  |  
提交时间:2010/03/17
一种制作白光发光二极管的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈振
;
韩培德
;
陆大成
;
刘祥林
;
王晓晖
;
朱勤生
;
王占国
Adobe PDF(528Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1379/194
  |  
提交时间:2009/06/11
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Chen Z
;
Chua SJ
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Han PD
;
Wang ZG
;
Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
Adobe PDF(225Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1652/329
  |  
提交时间:2010/10/29
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Semiconducting Iii-v Materials
Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures
Carrier Confinement
Effect Transistors
Photoluminescence
Mobility
Heterojunction
Interface
Hfets
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu Y
;
Cong GW
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Zhu QS
;
Wang XH
;
Wu JJ
;
Wang ZG
;
Lu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuanlu@semi.ac.cn
Adobe PDF(512Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1357/447
  |  
提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu, Y
;
Cong, GW
;
Liu, XL
;
Lu, DC
;
Wang, ZG
;
Wu, MF
;
Lu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuanlu@semi.ac.cn
Adobe PDF(63Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1179/370
  |  
提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu Y
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Lu DC
;
Li DB
;
Han XX
;
Cong GW
;
Wang ZG
;
Lu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuanlu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(444Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1657/701
  |  
提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen, Z
;
Chua, SJ
;
Yuan, HR
;
Liu, XL
;
Lu, DC
;
Han, PD
;
Wang, ZG
;
Chen, Z, Singapore MIT Alliance, AMMNS, E4-04-10,NUS,4 Engn Dr,3, Singapore 117576, Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
Adobe PDF(225Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:882/264
  |  
提交时间:2010/03/09