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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Han, XX
;
Li, JM
;
Wu, JJ
;
Wang, XH
;
Li, DB
;
Liu, XL
;
Han, PD
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han XX
;
Chen Z
;
Li DB
;
Wu JJ
;
Li JM
;
Sun XH
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Z
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Han PD
;
Wang D
;
Yuan HR
;
Wang ZG
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Z
;
Lu DC
;
Wang XH
;
Liu XL
;
Yuan HR
;
Han PD
;
Wang D
;
Wang ZG
;
Li GH
;
Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Yuan HR
;
Chen Z
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu Y
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Yuan HR
;
Chen Z
;
Fan TW
;
Li YF
;
Han PD
;
Wang XH
;
Wang D
;
Wang ZG
;
Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Han PD
;
Wang ZG
;
Duan XF
;
Zhang Z
;
Han PD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yuan HR
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Chen Z
;
Wang XH
;
Wang D
;
Han PD
;
Yuan HR,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yuan HR
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Wang D
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1639/179
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提交时间:2010/10/29
Algan/gan Heterostructures
In-doping
2deg
Electron Sheet Density
X-ray Diffraction
Etching
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Phase Epitaxy
Mobility
Growth
Films
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han PD
;
Han PD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12