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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [6]
中科院半导体照明研发... [5]
半导体集成技术工程研... [5]
作者
刘志强 [2]
伊晓燕 [2]
谭平恒 [1]
文献类型
专利 [8]
期刊论文 [7]
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发表日期
2014 [1]
2011 [1]
2002 [2]
2000 [1]
1992 [1]
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期刊论文
作者:
Liu, SB
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He, Z
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Zheng, L
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Liu, B
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Zhang, F
;
Dong, L
;
Tian, LX
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Shen, ZW
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Wang, JZ
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Huang, YJ
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Fan, ZC
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Liu, XF
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Yan, GG
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Zhao, WS
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Wang, L
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Sun, GS
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Yang, FH
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Zeng, YP
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
黄亚军
;
刘志强
;
伊晓燕
;
王良臣
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王军喜
;
李晋闽
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提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li XQ
;
Cen LX
;
Huang GX
;
Ma L
;
Yan YJ
;
Li XQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo LW
;
Han YJ
;
Hu CY
;
Tan PH
;
Yang FH
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Guo LW,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Ctr Condensed Matter Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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浏览/下载:973/300
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang MH
;
Han YJ
;
Zhang YH
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Wang WX
;
Zhou JM
;
Lu LW
;
Zhang MH,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Ctr Condensed Matter Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
方晓明
;
黄醒良
;
陆卫
;
李言谨
;
沈学础
;
周小川
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钟战天
;
蒋建
;
徐贵昌
;
杜全钢
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
JIANG PH
;
HUANG YJ
;
GE WK
;
SUN DZ
;
ZENG YP
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提交时间:2010/11/15
调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结构中衬底光激发对导电沟道的作用
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1987
作者:
黄云吉
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提交时间:2009/04/13
高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
黄亚军
;
樊中朝
;
刘志强
;
伊晓燕
;
季安
;
王军喜
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提交时间:2011/08/31
GaN基发光二极管的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:
黄亚军
;
王莉
;
樊中朝
;
刘志强
;
伊晓燕
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提交时间:2014/12/25