中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共51条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
通信与供能复用技术研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  孙启功
Adobe PDF(3001Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：472/0  |  提交时间：2021/11/01
无权访问的条目 期刊论文
作者:  乔瑞秀;  鲁华祥;  龚国良;  陈刚
Adobe PDF(1136Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：463/5  |  提交时间：2016/05/30
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lan YW (Lan Yuwei);  Zhou LY (Zhou Liya);  Tong ZF (Tong Zhangfa);  Pang Q (Pang Qi);  Wang F (Wang Fan);  Gong FZ (Gong Fuzhong)
Adobe PDF(340Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：597/151  |  提交时间：2012/02/22
1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
Adobe PDF(629Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1903/227  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS (Sun G. S.);  Liu XF (Liu X. F.);  Gong QC (Gong Q. C.);  Wang L (Wang L.);  Zhao WS (Zhao W. S.);  Li JY (Li J. Y.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Li JM (Li J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gshsun@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(233Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1168/503  |  提交时间：2010/04/11
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, G. S.);  Liu, XF (Liu, X. F.);  Gong, QC (Gong, Q. C.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Li, JM (Li, J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(233Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1411/281  |  提交时间：2010/03/29
4h-sic  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈亮;  游达;  汤英文;  乔辉;  陈俊;  赵德刚;  张燕;  李向阳;  龚海梅
Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：840/265  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  牛智川;  黄社松;  龚政;  方志丹;  倪海桥;  孙宝权;  李树深;  夏建白
Adobe PDF(623Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1269/355  |  提交时间：2010/11/23
掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛容伟;  滕学公;  王启明
Adobe PDF(567Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1385/212  |  提交时间：2009/06/11
硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛容伟;  滕学公;  李传波;  左玉华;  罗丽萍;  成步文;  于金中;  王启明
Adobe PDF(641Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1545/202  |  提交时间：2009/06/11