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作者:  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Fang, ZD (Fang, Z. D.);  Huang, SS (Huang, S. S.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Wu, DH (Wu, D. H.);  Shun, Z (Shun, Z.);  Han, Q (Han, Q.);  Wu, RH (Wu, R. H.);  Ni, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nihq@red.semi.ac.cn
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一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  李迪;  贾利芳;  何志;  樊中朝;  杨富华
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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