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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, LL;  An, JM;  Wu, YD;  Zhang, JS;  Wang, Y;  Li, JG;  Wang, HJ;  Zhang, XG;  Pan, P;  Zhang, LY;  Dai, HQ;  Liu, RD;  Zhong, F;  Zha, Q;  Hu, XW;  Zhao, DG
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan, P;  An, JM;  Wang, HJ;  Wang, Y;  Zhang, JS;  Wang, LL;  Dai, HQ;  Zhang, XG;  Wu, YD;  Hu, XW
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, LL;  An, JM;  Wu, YD;  Wang, Y;  Zhang, JS;  Li, JG;  Wang, HJ;  Zhang, XG;  Pan, P;  Dai, HQ;  Qi, Y;  Zhong, F;  Zha, Q;  Hu, XW;  Zhao, DG
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu SL;  Jiang DS;  Dai JM;  Yang CL;  He HT;  Ge WK;  Wang JN;  Chang K;  Zhang JY;  Shen DZ;  Wang, JN, Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Phys, Clear Water Bay, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: phjwang@ust.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu SL;  Wang JN;  Huang JS;  Bian LF;  Jiang DS;  Yang CL;  Dai JM;  Ge WK;  Wang YQ;  Zhang JY;  Shen DZ;  Lu SL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu B;  Zhuang QD;  Yoon SF;  Dai JH;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang HJ;  Liu B,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Lab Opt Phys,Beijing 100080,Peoples R China.
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Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Peng CS;  Chen H;  Zhao ZY;  Li JH;  Dai DY;  Huang Q;  Zhou JM;  Zhang YH;  Tung CH;  Sheng TT;  Wang J;  Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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Threading Dislocation  Si(100)  Layers  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CS;  Chen H;  Zhao ZY;  Li JH;  Dai DY;  Huang Q;  Zhou JM;  Zhang YH;  Tung CH;  Sheng TT;  Wang J;  Peng CS,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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