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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Wang, LL
;
An, JM
;
Wu, YD
;
Zhang, JS
;
Wang, Y
;
Li, JG
;
Wang, HJ
;
Zhang, XG
;
Pan, P
;
Zhang, LY
;
Dai, HQ
;
Liu, RD
;
Zhong, F
;
Zha, Q
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Hu, XW
;
Zhao, DG
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Pan, P
;
An, JM
;
Wang, HJ
;
Wang, Y
;
Zhang, JS
;
Wang, LL
;
Dai, HQ
;
Zhang, XG
;
Wu, YD
;
Hu, XW
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, LL
;
An, JM
;
Wu, YD
;
Wang, Y
;
Zhang, JS
;
Li, JG
;
Wang, HJ
;
Zhang, XG
;
Pan, P
;
Dai, HQ
;
Qi, Y
;
Zhong, F
;
Zha, Q
;
Hu, XW
;
Zhao, DG
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu SL
;
Jiang DS
;
Dai JM
;
Yang CL
;
He HT
;
Ge WK
;
Wang JN
;
Chang K
;
Zhang JY
;
Shen DZ
;
Wang, JN, Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Phys, Clear Water Bay, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: phjwang@ust.hk
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu SL
;
Wang JN
;
Huang JS
;
Bian LF
;
Jiang DS
;
Yang CL
;
Dai JM
;
Ge WK
;
Wang YQ
;
Zhang JY
;
Shen DZ
;
Lu SL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu B
;
Zhuang QD
;
Yoon SF
;
Dai JH
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang HJ
;
Liu B,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Lab Opt Phys,Beijing 100080,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
;
Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Threading Dislocation
Si(100)
Layers
Films
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
;
Peng CS,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12