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无权访问的条目 期刊论文
作者:  F.S. Krasniqi;   Y. Zhong;   S.W. Epp;   L. Foucar;   M. Trigo;   J. Chen;   D.A. Reis;   H.L. Wang;   J.H. Zhao;   H.T. Lemke;   D. Zhu;   M. Chollet;   D.M. Fritz;   R. Hartmann;   L. Englert;   L. Strüder;   I. Schlichting;   J. Ullrich
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Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  赵丹梅
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Gan  Mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  W. Liu;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  P. Chen;  Z.S. Liu;  J.J. Zhu;  M. Shi;  D.M. Zhao;  X. Li;  J.P. Liu;  S.M. Zhang;  H. Wang;  H. Yang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. Li;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  P. Chen;  Z.S. Liu;  M. Shi;  D.M. Zhao;  W. Liu;  J.J. Zhu;  S.M. Zhang;  H. Yang
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一种功率可变的模拟激光源 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-28
发明人:  李冬梅;  赵向凯;  张观欣;  杨志卿;  高瑀含;  姜波
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一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:  赵丹梅;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平
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