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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhi Jiang ; Yao-Yao Sun ; Chun-Yan Guo ; Yue-Xi Lv ; Hong-Yue Hao ; Dong-Wei Jiang ; Guo-Wei Wang ; Ying-Qiang Xu ; Zhi-Chuan Niu
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhi Jiang; Xi Han; Yao-Yao Sun; Chun-Yan Guo; Yue-Xi Lv; Hong-Yue Hao; Dong-Wei Jiang; Guo-Wei Wang; Ying-Qiang Xu; Zhi-Chuan Niu
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yan Jun-Da; Wang Quan; Wang Xiao-Liang; Xiao Hong-Ling; Jiang Li-Juan; Yin Hai-Bo; Feng Chun; Wang Cui-Mei; Qu Shen-Qi; Gong Jia-Min; Zhang Bo; Li Bai-Quan; Wang Zhan-Guo; Hou Xun
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 乔彦彬; 冯士维; 马骁宇; 王晓薇; 郭春生; 邓海涛; 张光沉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fan HB (Fan Hai-Bo); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhang PF (Zhang Pan-Feng); Wei HY (Wei Hong-Yuan); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Jiao CM (Jiao Chun-Mei); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Chen YH (Chen Yong-Hai); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Fan, HB, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn; sh-yyang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JP (Liu Jun-Peng); Qu SC (Qu Sheng-Chun); Chen YH (Chen Yong-Hai); Xu Y (Xu Ying); Zeng XB (Zeng Xiang-Bo); Liang LY (Liang Ling-Yan); Wang ZJ (Wang Zhi-Jie); Zhou HY (Zhou Hui-Ying); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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