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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Huang, WQ
;
Cheng, BW
;
Xue, CL
;
Li, CB
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浏览/下载:396/62
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou HY
;
Qu SC
;
Wang ZG
;
Liang LY
;
Cheng BC
;
Liu JP
;
Peng WQ
;
Zhou, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhouhy@mail.semi.ac.cn
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浏览/下载:1271/300
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提交时间:2010/04/11
Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhou HY
;
Qu SC
;
Wang ZG
;
Liang LY
;
Cheng BC
;
Liu JP
;
Peng WQ
;
Zhou, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouhy@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Anodic Alumina Films
自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陆大成
;
王晓晖
;
姚文卿
;
刘祥林
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
陆大成
;
韩培德
;
刘祥林
;
王晓晖
;
汪度
;
袁海荣
;
王良臣
;
徐萍
;
姚文卿
;
高翠华
;
刘焕章
;
葛永才
;
郑东
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng CS
;
Huang Q
;
Cheng WQ
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Sheng TT
;
Tung CH
;
Peng CS,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 60336,Beijing 100080,Peoples R China.
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浏览/下载:1153/384
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo LW
;
Shi JJ
;
Cheng WQ
;
Li YK
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Guo LW,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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浏览/下载:1023/265
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng CS
;
Huang Q
;
Cheng WQ
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Sheng TT
;
Tung CH
;
Peng CS,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603 36,Beijing 100080,Peoples R China.
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浏览/下载:945/285
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
DU QH
;
WANG TH
;
MAO JM
;
CHENG WQ
;
ZHOU JM
;
HUANG Q
;
DU QH CHINA CTR ADV SCI & TECHNOLWORLD LABPOB 8730BEIJING 100080PEOPLES R CHINA
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浏览/下载:798/260
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提交时间:2010/11/15