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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, BB;  Ma, ZC;  Wang, L;  Zhang, R;  Niu, LG;  Yang, Z;  Zhang, YL;  Zheng, WH;  Zhao, B;  Xu, Y;  Chen, QD;  Xia, H;  Sun, HB;  Xia, H (reprint author), Jilin Univ, Coll Elect Sci & Engn, State Key Lab Integrated Optoelect, 2699 Qianjin St, Changchun 130012, Peoples R China,hxia@jlu.edu.cn;  hbsun@jlu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao JH (Zhao Ji-Hong);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Chen QD (Chen Qi-Dai);  Su W (Su Wen);  Jiang Y (Jiang Ying);  Chen ZG (Chen Zhan-Guo);  Jia G (Jia Gang);  Sun HB (Sun Hong-Bo);  Sun, HB, Jilin Univ, Coll Elect Sci & Engn, State Key Lab Integrated Optoelect, Changchun 130023, Peoples R China. 电子邮箱地址: chenqd@jlu.edu.cn;  hbsun@jlu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘丽辉;  陈少华;  赵启大;  刘育梁;  李芳
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Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs GaAs quantum dots multilayers 会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Zeng YP;  Pan L;  Chen YH;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Novel Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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InGaas Gaas Quantum Dots  Infrared Absorption  Self-organization  X-ray-diffraction  Islands  Transitions  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Zeng YP;  Pan L;  Chen YH;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Li HX;  Zeng YP;  Pan L;  Chen YH;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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