中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(141Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1175/511  |  提交时间：2010/08/12
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Zeng YP;  Cao X;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(148Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1413/394  |  提交时间：2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy  High Electron Mobility Transistors  Density  
Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1698/426  |  提交时间：2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy  Mobility  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Wang XG;  Chang Y;  Chu JH;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(102Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1452/521  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zeng YP;  Cao X;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(148Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：897/235  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1094/343  |  提交时间：2010/08/12