|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: P.Y. Yue ; X.M. Dou ; H.Y. Wang ; B. Ma ; Z.C. Niu ; B.Q. Sun
 Adobe PDF(1895Kb) |  收藏 | 浏览/下载：102/0 | 提交时间：2019/11/12 |
| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
Adobe PDF(412Kb) | 收藏 | 浏览/下载：2042/296 | 提交时间：2010/08/12 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝 ; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(573Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1747/287 | 提交时间：2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(550Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1645/257 | 提交时间：2010/03/19 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(621Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1453/190 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(752Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1461/150 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(753Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1405/168 | 提交时间：2009/06/11 |
| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
Adobe PDF(588Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1556/248 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵建华; 邓加军; 毕京峰; 牛智川; 杨富华; 吴晓光; 郑厚植
Adobe PDF(336Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1400/141 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵建华; 蒋春萍; 郑厚植; 邓加军; 杨富华; 牛智川
Adobe PDF(363Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1366/184 | 提交时间：2009/06/11 |
