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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 严莉; 陈晓阳; 何世堂; 李红浪; 韩培德 ; 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 李昱峰; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵; 朱勤生; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王晓晖; 李昱峰; 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵; 王秀凤; 朱勤生; 王占国; 陈振; 韩培德
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| Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 袁海荣; 王占国
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| 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 袁海荣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韩培德; 刘祥林; 袁海荣; 陈振; 李昱峰; 陆沅; 汪度; 陆大成; 王占国
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| 一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 王晓晖
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| Ⅲ族氮化物材料及GaAs基太阳能电池的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
作者: 袁海荣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王晓晖; 刘祥林; 陆大成; 袁海荣; 韩培德; 汪度
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 袁海荣; 向贤碧; 陈庭金; 陆大成
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陆大成; 刘祥林; 韩培德; 王晓晖; 汪度; 袁海荣
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