中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality 会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:  Zhao, YW (Zhao, Youwen);  Dong, ZY (Dong, Zhiyuan);  Dong, HW (Dong, Hongwei);  Sun, NF (Sun, Niefeng);  Sun, TN (Sun, Tongnian);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1632/450  |  提交时间：2010/03/29
Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Fe-doped Inp  Point-defects  Compensation  Temperature  Donors  Traps  
磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  董宏伟;  赵有文;  杨子祥;  焦景华
Adobe PDF(283Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1614/226  |  提交时间：2009/06/11
非掺杂磷化铟（InP）的高温退火研究— 半绝缘材料的点缺陷、制备、性质、应用对比 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
作者:  董宏伟
Adobe PDF(3065Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1070/23  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  董宏伟;  赵有文;  焦景华;  赵建群;  林兰英
Adobe PDF(245Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1007/342  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Youwen;  Dong Hongwei;  Jiao Jinghua;  Zhao Jianqun;  Lin Lanying;  Sun Niefeng;  Sun Tongnian
Adobe PDF(289Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：924/263  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  董宏伟;  赵有文;  焦景华;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
收藏  |  浏览/下载：594/0  |  提交时间：2010/11/23