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具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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注Mn InAs/GaAs 量子点光电磁性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  胡良均
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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